metal gate製程
我們發現對元件的High-K-Metalgate界面作CF4電漿處理,並在製程中施加較低溫的PMA,可得到功函數較高的元件。CF4電漿處理能提升金屬閘極元件的功函數,需注意的是,當 ...,2007年12月24日—而其中已導入的high-k/metalgate材料製程,可以控制金屬氧化物半導體場效電...
TW201904063A
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本發明係有關於一種具有金屬閘極(metalgate)之...隨後進行另一CVD製程或PVD製程,於基底100上形成一第...最後,如第7圖所示,進行一平坦化步驟P3,例如一CMP製程,用以移 ...
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